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普克爾盒驅動

Ring — Tue, 28 Feb 2023 02:07:49 +0000

為了匹配普克爾盒的使用，我司提供一下系列的普克爾盒驅動、高壓電源、模塊和信號控制器。詳細情況請見產品單頁。

CL-PCDH系列加壓降壓型晶體驅動器
CL-PCDS系列加壓降壓型晶體驅動器
CL-PCDH-1M系列加壓降壓型晶體驅動器：主要應用于調Q光路、脈沖選擇光路、腔倒空電路；
CL-PCDX系列加壓降壓型晶體驅動器
CL-OEM-HV-80高壓電源
CL-OEM-HV-120高壓電源
CL-PCD-HV系列高壓電源：具備高壓電壓的顯示與調節、高壓電源的單獨開關、同時給普克爾盒驅動供電；
CL-PACK-PCDH系列一體式晶體驅動器模塊
CL-SC300系列普克爾盒驅動信號控制器

BBO電光晶體

Alice — Fri, 02 Sep 2022 05:50:17 +0000

BBO晶體，又稱為偏硼酸鋇晶體，化學式為BaB₂O₄，是一種綜合性能優良的電光晶體和非線性晶體。在Nd:YAG激光器的三次、四次和五次諧波（分別為355nm、266nm和213nm)、Ti:Sapphire放大器的二次和三次諧波（400nm和266.7nm)等相關領域具有廣泛的應用。BBO電光晶體有著極寬的透光范圍，極低的吸收系數，較弱的壓電振鈴效應，相對于其他的電光調制晶體，具有更高的消光比，較大的相位匹配角，較高的抗光損傷閾值、寬帶的溫度匹配以及優良的光學均勻性，有利于提高激光輸出功率穩定性，特別是在Nd:YAG激光器之三倍頻有著廣泛的應用。同時還可以應用于OPO配置、光學參量振蕩器以及從近紅外到深紫外的電光應用。

特點

良好的物理性能；
適當的機械性能；
溫度帶寬約55℃；
光學均勻性高
透射范圍從190 nm到3500nm；
相位匹配范圍從6 nm到3500nm；
有效SHG（二次諧波產生）系數大；
1064 nm處10 J/cm²的100 ps脈沖損壞閾值

BBO電光晶體最先出現在芯飛睿。

BBO普克爾盒

Ring — Thu, 01 Sep 2022 07:37:28 +0000

BBO（BaB₂O₄）普克爾盒，又稱為硼酸鋇普克爾盒，是一種綜合性能比較優秀的普克爾盒器件。BBO普克爾盒具有具有高損傷閾值、低插入損耗、高消光比、最小的壓電振鈴和有競爭力的價格等優勢，BBO 普克爾斯盒在激光功率處理能力、溫度穩定性和基本上不受壓電振鈴影響方面表現出優于其他材料的顯著優勢。BBO普克爾盒是高重復率 Q 開關、高達 3 MHz 的脈沖拾取、激光腔傾倒、再生放大器控制和光束斬波器的最有吸引力的候選者。在高重復率和高功率應用領域，BBO 普克爾盒是比 KDP 普克爾盒更好的選擇。由于 BBO 的低壓電耦合系數，可以產生重復頻率為數百千赫茲的脈沖。

特點

高重復率和抗損傷性
低吸收和噪音
高紫外線透過率
提供雙晶設計的普克爾盒

標品

BBO單晶體開關

產品型號	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比
CLBBO-S02525-2035	2.2mm	2.5×2.5x25mm	Dia. 20x35mm	2.4kV	2.2pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S02525-151728-S	2.2mm	2.5×2.5x25mm	15×17.5x28mm 方型外殼	2.4kV	2.2pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0320-2035	2.7mm	3x3x20 mm	Dia.20x35mm	3.6kV	3pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0325-2035	2.7mm	3x3x25 mm	Dia.20x35mm	2.9kV	3pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0420-2035	3.7mm	4x4x20 mm	Dia.20x35mm	4.8kV	4pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0425-2035	3.7mm	4x4x25 mm	Dia.20x35mm	3.9kV	4pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1

BBO雙晶體開關

產品型號	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@1064nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比
CLBBO-D0320-2055	2.7mm	3x3x20 mm³	Dia.20x55mm	1.8kV	6pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	300:1
CLBBO-D0420-2055	3.7mm	4x4x20 mm³	Dia.20x55mm	2.4kV	7pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	300:1

BBO普克爾盒最先出現在芯飛睿。

DKDP普克爾盒

Ring — Sat, 06 Aug 2022 08:21:54 +0000

DKDP（KD₂PO₄）普克爾盒，又稱為磷酸二氘鉀普克爾盒或KD*P普克爾盒，是一種綜合性能比較優秀的普克爾盒器件。該產品具有光學損耗低、消光比高、電光性能好和對環境的耐受性好等優點，可以用在電光調Q開關、高速攝像開關、軍事和航空激光系統、染料激光器800 nm二、三倍頻以及1064 nm 二、三、四倍頻領域之中。DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差，使用時需注意在以下操作環境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時請存儲于干燥箱內。

特點

緊湊設計;
便于調節;
無靜態雙折射;
無光折射損害;
高抗光損傷閾值;
優越的電光系數;
對環境的耐受性好;
密閉好，無粘合劑;
DKDP晶體的含氘量高（>99.0%）

標品

DKDP單晶開關

產品型號	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLKDP-S1520-3542-AR	15mm	Dia.15×20 mm³	Dia.35×42 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1220-3236-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.20×35 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1	端面插針電極
CLKDP-S1220-3240-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.35×42 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1220-2540-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.25×40 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1020-2532-AR	10mm	Dia.10×20 mm³	Dia.25×32 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×26 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-SG	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×26 mm	3.2kV	5pF	>98%	1030nm-1064nm	750MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-2028-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.20×28 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1930-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×30 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	端面引線
CLKDP-S0918-1928-AR	8mm	Dia.9×18 mm³	Dia.19×28 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	端面插針電極

DKDP雙晶開關

產品型號	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLKDP-D1220-3565-AR	12mm	Dia.12×20 mm³, 一對	Dia.35x65mm	1.6kV	8pF	>97.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	500:1	柱面插針電極

DKDP普克爾盒最先出現在芯飛睿。

LiNbO3&MgO:LiNbO3普克爾盒

Ring — Wed, 06 Jul 2022 09:19:50 +0000

LN（LiNbO₃）普克爾盒，又稱鈮酸鋰普克爾盒，是一種綜合性比較優良的普克爾盒器件，廣泛地應用于光通信和光波導技術等領域之中。該產品具有高電光系數、不吸濕性、透明度范圍寬和良好的機械和物理性能等優點，可以應用在電光調制器、調制諧振器波電壓外的激光束等領域之中。鈮酸鋰晶體因其高電光系數、不吸濕性、高達 4.0 μm 的良好傳輸和橫模操作而成為 Q 開關和相位調制器最常用的材料之一.?通過橫向于光傳播方向施加電場，可以將 LiNBO₃ 電池配置為在比 KD*P 電池更低的電壓下工作。LiNbO₃普克爾盒可以支持高達 4.0 μm 的紅外波長操作，也是中低功率固態激光器（Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG 脈沖激光器）應用的良好選擇。同時，與未摻雜的常規 LiNbO3 相比，具有 Mgo 摻雜的 LiNbO₃具有顯著更高的損傷閾值。

特點

損耗低
高電光系數
透明度范圍寬
低波前失真
高溫穩定性
穩定的機械和化學性能

標品

MgO:LN晶體開關

產品型號	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLMGO-S0920-3026	9mm	9 x 9 x 20 mm³	Dia.30×26 mm	1.9kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	柱面引線
CLMGO-S0620-2533	6mm	6 x 6 x 20mm³	Dia.25×33 mm	1.4kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	柱面插針電極
CLMGO-S0920-181720-S	9mm	9 x 9 x 20 mm³	18 x 17 x 20mm	1.9kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	方型外殼，插針電極

LiNbO₃&MgO:LiNbO₃普克爾盒最先出現在芯飛睿。

RTP普克爾盒

Ring — Tue, 07 Jun 2022 00:48:57 +0000

RTP（RbTiOPO₄）普克爾盒，又稱磷酸鈦氧銣普克爾盒，是一種綜合性比較優良的普克爾盒器件，廣泛地應用于激光的電光調制、脈沖整形和激光內腔調Q等激光技術領域之中。RTP普克爾盒具有更高的電光性能、擁有大電光系數、高抗光傷閾值、極好的化學穩定性、高電阻率、低壓電效應和不易潮解等優良特性，與其他電光材料相比，RTP（磷酸鈦氧銣）普克爾斯電池具有許多優點：不吸濕、低開關電壓、消光比好、無壓電和熱電效應，可以運用在RTP Q開關或RTP脈沖選擇器等領域之中。

特點

高電阻率；
高消光比；
低半波電壓；
高抗光損傷閾值；
使用溫度－50~70 ℃，無需溫控；
適用于高頻操作，最高開關頻率可達1 MHz；
適用波長：450 nm – 3 μm，器件消光比 >23 dB；
動態、靜態半波電壓基本一致，易于安裝和調節；
晶體損傷閾值達1 GW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns脈寬；
晶體內部質量好，光學吸收低，雙晶體的總體透光率>5%；
在高頻工作時，極低的振鈴效應，遠遠低于BBO電光Q的振鈴效應；
晶體不潮解，介電常數低，優良的電學穩定性，可長期承受外加電壓；
小巧的外形和較低的操作電壓，使其更適于新型的光纖與碟片激光器應用；
雙晶體總的電容量很小，5 mm長晶體的總電容量為2-3 pF或10 mm長晶體的總電容量為3-4 pF，可實現脈沖上升/下降時間：5-5 ns；

RTP普克爾盒最先出現在芯飛睿。

KTP普克爾盒

Ring — Mon, 06 Jun 2022 08:41:42 +0000

KTP（KTiOPO₄）普克爾盒，又稱磷酸氧鈦鉀普克爾盒，是一種綜合性優良的普克爾盒器件。KTP普克爾盒具有損傷閾值高、高占空比運行和極低的壓電共振等優點，可以運用在飛秒激光器、高重復頻率激光器的脈沖選擇器和高重復頻率激光器的調Q開關等相關領域之中。KTP普克爾盒克服了LiNbO₃晶體普克爾盒光學破壞閾值低的缺點，以及KD*P晶體普克爾盒相對較高的半波電壓和易潮解的缺點。與RTP晶體相比，KTP晶體具有更好的光學均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點是KTP電光開關可以在高占空比下運行，甚至可以在更長時間內保持高電壓。

特點

易潮解；
損傷閾值高；
高占空比運行；
較高的半波電壓；
極低的壓電共振；
標準通光孔徑：4×4、6×6和8×8 mm；
相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍；

KTP普克爾盒最先出現在芯飛睿。

RTP電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 03:33:54 +0000

RTP晶體，又稱為磷酸鈦氧銣，化學式為RbTiOPO₄，是一種現在廣泛用于需要低開關電壓的電光應用的材料。RTP電光晶體具有機械與化學性能穩定、非線性光學系數大、電光系數高、激光損傷閾值高、介電常數高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優點。RTP電光晶體在激光器、電光調制領域應用廣泛。RT電光P晶體可用來制造各種電光器件，中小功率激光器是其重要應用市場，例如用來制造高重復頻率調Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG(摻鉬記鋁石榴石)激光器等;電光調制是RTP晶體的重要功能，利用此功能可用來制電光Q開關、相位調制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產品，近年來，RTP電光晶體已經成為電光Q開關的熱門材料。RTP晶體可以廣泛應用在工業激光加工、激光醫療、激光測距、科學勘探、國防軍工等領域。

特點：

不潮解
體積小
高電阻率
高消光比
無壓電效應
透明范圍廣
高損傷閾值
高溫穩定性
低半波電壓
適用于高頻操作
穩定的機械和化學性能
較大的非線性光學和電光系數

RTP電光晶體最先出現在芯飛睿。

MgO:LiNbO3電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 03:11:04 +0000

MgO:LiNbO₃晶體,又稱為摻鎂鈮酸鋰晶體，是一種綜合性能比較優良的電光晶體。MgO:LiNbO₃電光晶體具有高損傷閾值、廣泛的透明度范圍、優異的電光性能以及良好的機械和化學性能等優點，可以用在普克爾斯盒、Q開關和相位調制器、光波導基板和表面聲波(SAW)晶片等最常用的材料中。MgO 摻雜 LN（典型摻雜：5%）是為了降低本征材料的光折變效應而開發的，因此可用于更高能量的應用。MgO:LiNbO₃ 對 Nd:Laser 的 NCPM SHG、混合 SFG 和光參量振蕩器具有特殊的優勢，因此應用于 OPO、OPA、準相位匹配倍增器和集成波導。與LiNbO₃晶體相比，MgO:LiNbO₃ 晶體在摻Nd激光器中的NCPM倍頻、混頻和光參量振蕩的應用中有其獨有的優勢。MgO:LiNbO₃晶體在脈沖Nd:YAG激光器和連續Nd:YAG激光器中能夠分別地獲得超過65%的和45%的倍頻效率。MgO:LiNbO₃ 電光晶體被廣泛地應用于光參量振蕩（OPO）、光參量放大（OPA）、準相位匹配及集成光波導中。

特點:

高損傷閾值
室溫下的非臨界相位匹配(NCPM)
廣泛的透明度范圍
優異的EO 和NLO 性能
良好的機械和化學性能

MgO:LiNbO₃電光晶體最先出現在芯飛睿。

LBO電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 01:30:21 +0000

LBO晶體，又稱為三硼酸鋰晶體，化學式為LiB₃O₅，是一種具有非常優良品質的非線性功能的電光晶體材料。LBO電光晶體具有透光波段寬、較高的非線性耦合特性、倍頻轉換效率較高、激光損傷閾值高、接收角度寬、離散角度小和良好的化學和機械加工性能等優點。在全固態激光、電光、醫學、微加工的二倍頻，三倍頻和OPO等領域有廣泛的應用。在二倍頻方面，可以應用于醫用與工業用途的Nd : YAG激光、科研與軍事用途的高功率Nd: YAG與Nd: YLF激光、Na: YVo4,Nd : YAG和Nd : YLF激光的泵浦以及紅寶石。Ti: Sappire與Cr : LiSAF激光器中。在三倍頻方面，可以運用在Nd: YAG與Nd: YLF激光、光學參里放大器(OPA)與光學參里振蕩器(OPO) 、高功率134Onm的Nd: YAP激光的二、三倍頻。同時LBO晶體可以將中高功率1064nm激光二倍頻至532nm綠光，或是將1064nm激光三倍頻至355nm紫外激光以及用于OPO系統上。

特點:

可透光波段范圍寬(160—2600nm)
光學均勻性好，內部包絡少
倍頻轉換效率較高(相當于KDP晶體的3倍)
高損傷域值(1.3ns脈寬的1053nm激光可10Gw/cm2)
接收角度寬，離散角度小
I,II類非臨界相位匹配(NCPM)的波段范圍寬
光譜非臨界相位匹配(NCPM）接近

LBO電光晶體最先出現在芯飛睿。