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LBO晶體生長(zhǎng)過(guò)程是怎樣的呢?

 這些被稱作“中國(guó)牌”晶體的誕生,奠定了我國(guó)在非線性光學(xué)晶體材料領(lǐng)域內(nèi)的主導(dǎo)地位,也推動(dòng)了全固態(tài)激光技術(shù)的蓬勃發(fā)展。這其中的LBO晶體,可以有效地對(duì)Nd基激光系統(tǒng)進(jìn)行二倍頻、三倍頻,也可作為光學(xué)參量啁啾變大,輸出高功率短脈沖激光。尤其是它的激光損傷閾值,在λ=1.053μm,脈寬=1.3ns的試驗(yàn)條件下,其值可以達(dá)到24.6J/cm2,是當(dāng)前已知的倍頻轉(zhuǎn)化半導(dǎo)體材料中比較高的。

  從目前應(yīng)用來(lái)說(shuō),它比較多的是用在對(duì)1064nm的基頻光變頻到532nm或355nm,因?yàn)樗木C合性能優(yōu)良,至今在這領(lǐng)域還未有其他材料可以替代。

  對(duì)LBO、BBO晶體進(jìn)行商業(yè)化的運(yùn)作,大批提供LBO、BBO晶體器件,特別是在LBO晶體三倍頻市場(chǎng)方面,光寶光電在世界范圍內(nèi)占據(jù)明顯優(yōu)勢(shì)地位,市場(chǎng)占有率達(dá)到80%以上。

  LBO晶體在834℃左右會(huì)出現(xiàn)分解反應(yīng),生成2Li2O?5B2O3,因此不可以用純?nèi)垠w生長(zhǎng)方法進(jìn)行晶體生長(zhǎng),如提拉法、下降法等,可以用助熔劑法進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。生長(zhǎng)LBO晶體的助熔劑比較多,有LiF、Li2O、B2O3、MoO3等。其中MoO3是一個(gè)非常好的助熔劑,但單純用MoO3,溶液會(huì)不太穩(wěn)定,在晶體生長(zhǎng)過(guò)程容易出現(xiàn)雜晶、浮晶等,所以需要加入其它熔劑,既用組合熔劑進(jìn)行生長(zhǎng)。

  鑒于LBO晶體結(jié)構(gòu)間隙很小,極少有雜質(zhì)能夠進(jìn)入晶格,通常情況下,晶體內(nèi)部質(zhì)量都不錯(cuò),但由于LBO晶體是用助熔劑法生長(zhǎng),難以避免會(huì)出現(xiàn)極其微細(xì)的溶液包裹進(jìn)入晶體內(nèi),生長(zhǎng)后的晶體在綠光激光的照射下,會(huì)觀測(cè)到較粗一點(diǎn)散射通道,其體吸收值可以達(dá)到幾十到上百ppm/cm,如圖4所示。用這樣的晶體制成的器件,在高功率的激光照射下,晶體非常容易吸收激光能量從而產(chǎn)生大量的熱,長(zhǎng)期工作后,晶體有可能被擊穿。因而,需要對(duì)生長(zhǎng)工藝及助熔劑成分及含量作出調(diào)整,光寶光電經(jīng)過(guò)大量工藝改進(jìn)及熔劑調(diào)整實(shí)驗(yàn),從而使得LBO晶體的體吸收值低到幾個(gè)ppm/cm。

  以上就是光寶光電給大家介紹的關(guān)于LBO晶體相關(guān)內(nèi)容介紹,大家可以參考了解一下。光寶光電專業(yè)從事激光元器件的研發(fā)和生產(chǎn),主要產(chǎn)品為激光晶體、激光光學(xué)和激光器件。公司具有晶體生長(zhǎng)、光學(xué)拋光、激光鍍膜和器件封裝的專業(yè)能力,并擁有良好的產(chǎn)品生產(chǎn)和質(zhì)量控制經(jīng)驗(yàn),可以為激光用戶提供穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品。具體聯(lián)系信息如下:

  聯(lián)系人:陳蔡暢

  聯(lián)系電話:13072169838(025-68790685)

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